20年 AXCELIS GSD200离子注入机loadlock控制器电路板维修

离子注入机由离子源、离子引入和质量分析器、加速管、扫描系统和工艺腔组成，可以根据实际需要省去次要部位。离子源是离子注入机的主要部位，作用是把需要注入的元素气态粒子电离成离子，决定要注入离子的种类和束流强度。离子源直流放电或高频放电产生的电子作为轰击粒子，当外来电子高于原子的电离电位时，通过碰撞使元素发生电离。碰撞后除了原始电子外，还出现正电子和二次电子。正离子进入质量分析器选出需要的离子，再经过加速器，由四级透镜聚焦后进入靶室，进行离子注入。

离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备，离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、横向扩散等方面进行控制，克服了常规工艺，提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗。离子注入机用于掺杂工艺，可以满足浅结、低温和控制等要求，已成为集成电路制造工艺中可少的装备。

具有主动输出级电流源或汇的反应或电阻性负载在整个输出电压范围。这是必不可少的，以实现准确的输出响应和高转换率要求的反应性负载。

常用的生产型离子注入机主要有三种类型：低能大束流注入机、高能注入机和中束流注入机，如下所示：

低能大束流离子注入机，0.2keV~100keV，超浅结、源漏注入、多晶硅栅注入等

高能离子注入机，~MEV，深埋层等

中束流离子注入机，几百keV，栅阈值调整、轻掺杂漏区、SIMOX、Cut穿透阻挡层等

低能大束流离子注入机：大束流的注入机的束流可以达到几毫安甚至几十毫安。低于100keV，由于器件的特征尺寸不断缩小，需要更低能的注入，以形成浅结或超浅结，有的大束流的注入机的低能可以达到0.2keV。

高能离子注入机：高能注入机可高达几MeV。

中束流离子注入机：中束流注入机的注入在几百keV范围内。

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